（原标题：新洁能2023年年度董事会经营评述）
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新洁能（605111）2023年年度董事会经营评述内容如下：
一、经营情况讨论与分析
报告期内，公司共实现营业收入147,656.14万元，较去年同期减少18.46%；其中主营业务收入147,083.92万元，较去年同期减少18.51%；归属于上市公司股东的净利润32,311.63万元，较去年同期减少25.75%。 （一）市场营销 2023年以来，公司下游应用市场的整体景气度较长一段时间延续了2022年第四季度以来的下行趋势，主要系经济环境下行导致下游需求减弱、国内晶圆代工厂更多产能释放以及功率半导体行业竞争加剧等多方面因素影响所致。同时，伴随着国际形势的不断恶化、国际半导体厂商从原本追逐高毛利到与中国半导体品牌开展价格竞争，公司面临着新的挑战。基于此，公司积极应对市场变化和响应客户需求，积极筹划并寻找更多的新市场新客户机会，利用技术和产品优势、产业链优势等，持续优化产品结构、市场结构和客户结构，将产品导入并大量销售至新能源汽车和充电桩、光伏和储能、AI服务器和数据中心等新兴领域客户，并开发出更多的行业龙头客户，进一步扩大了公司在中高端市场的应用规模及影响力。 产品结构方面： （1）IGBT产品作为光伏储能行业的重点应用产品，由于2023年公司的主要下游光伏储能客户处于消化库存阶段，整体处于供大于求的状态。公司积极调整结构应对下游变化，拓宽了更多的应用领域，加大了对于变频、小家电、工业自动化、汽车等领域的销售力度，但受到报告期内光伏储能需求减弱的影响，整体IGBT产品的销售仍然呈现下滑状态。2023年公司的IGBT产品实现了销售收入2.66亿元，比去年同期下滑了33.97%，销售占比从去年的22.33%下降到今年的18.09%。公司预计2024年光伏需求会有所回暖、进而促进IGBT产品的销售回升，其他变频、小家电、汽车等领域的IGBT产品销售规模亦将进一步扩大。 （2）SGT-MOSFET产品为公司中低压产品中替代国际一流厂商产品料号最多的产品工艺平台，受到的市场波动影响也较大。对于此，公司一方面持续加大研发投入，持续实现产品平台的升级与型号拓展；另一方面主动参与到市场价格竞争中，给客户提供更具性价比的产品方案，并加强与客户的沟通与服务，进一步提高客户的黏性，促进在重点领域的销售规模和市场份额扩大。如：在新能源汽车领域，公司已经覆盖比亚迪（002594）汽车的全系列车型，在国产供应商份额中处于领先地位并不断放量，与联合电子、伯特利（603596）等tier1厂商实现深入合作，导入到哈曼卡顿、法雷奥等国际tier1厂商；在AI服务器领域，公司已经在行业头部客户实现批量销售，并将进一步放大规模；其他如视源股份（002841）等家电客户、明纬电子等工控客户，公司持续实现销售份额的提升；大疆无人机、卧龙电驱（600580）、商络电子（300975）等其他新兴应用领域客户，公司亦在不断加强深入合作。公司的SGT-MOSFET产品2023年实现了销售收入5.46亿元，比去年下降了19.80%，主要系受到之前产品价格波动的影响，但产品的整体销量上保持了稳健向上趋势；销售占比相对稳定，为37.11%。随着公司在汽车电子、AI服务器、无人机等下游新兴应用领域客户销售规模的进一步扩大，预计公司2024年SGT产品的销售规模将得以进一步提升。 （3）SJ-MOSFET产品方面，2023年实现销售收入1.84亿元，相比去年减少了13.56%，销售占比从去年同期的11.83%提升至12.52%。公司4代SJMOS产品系列型号齐全，已经开始批量交付，2024年公司将全面开展SJMOS产品从3代到4代的替换，并加大对于AI服务器和数据中心、汽车OBC、充电桩等领域的推广，以进一步促进SJMOS产品的销售，成为公司新的业绩增长点。 （4）Trench-MOSFET作为公司持续量产时间最长的成熟工艺平台，面临的客户群体众多，应用模式多样，长期积累的客户群体广泛，对于公司产品有长期信任的基础，但市场波动对Trench-MOSFET的影响也大，公司积极采取了让利保市场的策略，并进一步促进了销售规模。2023年TrenchMOS产品实现销售收入4.54亿，相比去年下降了9.34%，但销售数量和市占率获得显著提升，其销售占比从2022年的27.79%提升至2023年的30.84%。 市场结构和客户结构方面： 2023年公司坚守稳固已有客户，开拓更多市场应用，一方面积极挖掘原有市场客户的合作机会，通过对客户黏性的加强以促进更多产品料号的导入；另一方面，公司积极探索新的下游应用领域，在新能源汽车、光伏储能、AI服务器和数据中心、无人机等重点新兴应用领域不断加大投入，推动和客户的战略合作，增加客户对公司品牌的认可度，进而形成战略互补深度合作，以获取更大的市场份额提升。 汽车电子领域：公司目前已经推出200款车规级MOSFET产品。2023年以来，公司与比亚迪的合作转向直供，并应用至比亚迪的全系列车型中，持续扩大销售规模，实现了多款产品的大批量供应；同时对联合电子、伯特利等国内头部Tier1持续规模出货，截至目前，公司已经获得联合电子20多个汽车电子项目的定点通知书，合作时间从2024年持续到2029年。公司的产品涉及车身控制域、动力域、智能信息域、底盘域、驾驶辅助域等多个领域应用，并深入到主驱电控、OBC、动力电池管理、刹车、ABS、智能驾驶系统等核心系统。公司目标成为汽车市场国产品牌出货品种最多，出货数量最大的功率器件设计公司。未来公司在汽车电子产品的整体销售规模和占比预计得以快速提升。 光伏储能领域：相比于去年同期，2023年变动较大。随着整体经济环境的变化以及季节气温的回暖等，报告期内光伏储能海外市场的需求出现部分下滑，同时国内外IGBT产品供应商的产能增加，市场的供需关系发生一定变化。面对市场现状，公司一方面保持与阳光电源（300274）、固德威、德业股份（605117）、上能电气（300827）、锦浪科技（300763）、正泰电源等头部客户的紧密合作，及时了解市场波动及客户需求情况，提供更具性价比的合作方案；另一方面加强新产品的开发，积极推动更多大电流单管IGBT和模块产品的放量进度，在保证光伏储能领域的国产IGBT单管龙头地位的同时，推动公司的IGBT模块产品在光伏储能领域的快速推广。预计2024年光伏储能需求会有所回暖，将有力支撑公司业绩的进一步向好。 AI服务器领域：2023年以来，随着国内外厂商加速布局千亿级参数量的大模型，训练需求及推理需求高速增长，共同驱动算力革命，助推AI服务器市场及出货量高速增长。公司及时跟进响应市场需求，一方面，公司产品持续在传统服务器领域发力，以获取更多的市场份额；另一方面，公司利用自身优势，围绕AI算力服务器的相关需求开发产品，并积极开发下游客户，目前公司的相关产品已经在AI算力领域头部客户实现批量销售，且将进一步快速增长。 （二）研发创新 2023年度，公司实现研发投入8,731.42万元，占营业收入的比例为5.91%。截至目前，公司共有专利196项，其中发明专利86项（不含已到期专利）。2023年全年新增产品600余款。 IGBT平台： 1）第七代微沟槽高功率密度IGBT平台的650V和1200V大饱和电流的中高频系列产品已经通过内部测试，正在进行客户端导入测试，产品交直流参数已经达到预期水平，正在同步做良率优化，同系列光伏逆变应用的业界最大电流TO-247Pus封装单管产品1200V160A产品正在进行客户应用验证，650V200A单管样品已完成直流参数验证，正在进行交流参数验证； 2）第七代微沟槽高功率密度IGBT平台的650V和1200V高短路能力低频系列产品已完成直流参数验证，正在做交流参数优化； 3）第七代微沟槽高功率密度IGBT平台的800V、1000V、1400V系列已完成直流参数验证，符合设计预期，正在进行交流参数验证； 4）IGBT并联SiC二极管产品已通过客户验证，开始批量出货； 5）具有不同反向恢复特性的600V和1200VFRD系列产品已经全部进入量产，其他电压平台正在开发流片中。 SJMOS平台： 1）第四代超结MOS（SJMOS）平台在8寸和12寸都已进入全面稳定量产，500V、600V、650V系列产品在高能效大功率电源、新能源汽车OBC、充电桩、工业变频、家电、消费类电子等市场都已持续批量出货； 2）在现有量产的第四代超结平台上，针对600V和650V电压平台进一步创新进行特征导通电阻（Rsp）优化，相较于第四代产品，器件Rsp进一步降低12%，该系列新增加产品型号超过30款，已经进入量产阶段； 3）搭载快速恢复体二极管的第四代800V深沟槽SJMOS平台140mΩ产品交直流参数已经达设计预期，器件Rsp相较于三代产品降低35%，产品正在进行良率提升和终端客户应用测试； 4）第五代SJMOS平台工程流片中，650V产品Rsp可以降低至0.95欧姆每平方毫米(Ω.mm2)，目前已经通过1000小时以上可靠性考核，正在进行客户验证和良率提升。 SGTMOS平台： 1）针对车规应用的P沟道150VSGTMOS平台完成车规认证，参数性能达到业界领先水平，已进入量产阶段； 2）具有业界最小单位元胞尺寸（CePitch）的N沟道30V第三代SGTMOS平台实现量产，Rsp相较于上一代产品降低39%，正在持续进行同平台不同电流规格和封装外形产品拓展； 3）具有业界最小单位元胞尺寸的N沟道40V第三代SGTMOS平台实现量产，Rsp相较于上一代产品降低26%，代表产品已完成车规认证，正在进行不同电流规格和封装外形系列产品拓展； 4）上述N30V~N40V第三代SGTMOS产品主要针对汽车车舱域控、汽车油泵/水泵、智能辅助驾驶、大功率数据中心、AI服务器、通信电源、工业电源、电池化成、新一代高功率密度电动工具等行业应用； 5）达到业界领先水平的超低特征导通电阻、高可靠性N沟道150V第三代SGTMOS平台实现量产，正在进行车规认证，器件核心综合性能优值（FOM）较业界同规格最优竞品降低达25%以上，产品主要针对A0级新能源车电驱系统、新能源车车载充电器、车载逆变器、光伏微逆系统、通信电源、服务器电源、植物照明系统等行业应用； 6）基于12寸平台，达到业界领先水平的FOM、高鲁棒性N沟道60V、85V、100V第三代SGTMOS均完成工程验证，产品正在进行可靠性评估，以100V产品为例：器件Rsp相较于同规格最优竞品小20%以上，栅极电荷（Qg）较同规格最优竞品降低15%以上，器件FOM较同规格最优竞品降低达30%，产品主要针对混动新能源车48V系统、车载空调、工程机械专用车辆主驱电控、AI服务器、工业自动化控制电源、工业/农业大功率无人机电调及锂电保护、轻型四轮电动车电控及锂电保护等行业应用。 TrenchMOS平台： 1）针对汽车应用，基于8寸平台完成了具有创新结构的高可靠性P沟道60V~200V设计与工艺固化，系列产品全面量产，多款产品通过车规认证，后续会衍生开发P沟道30V~60V产品平台； 2）具有高元胞密度（0.75umCePitch）的第五代P沟道20V~40V产品平台开发完成，以P40V为例，器件Rsp相较于上一代降低31%，系列产品全面量产并持续拓展规格型号； 3）具有超高元胞密度（0.55umCePitch）第七代N沟道12V~20V产品平台工程开发中，正在进行成品级测试和可靠性考核评估； 4）应用于智能手机和智能可穿戴设备的具有超高元胞密度的12V~24VCSPMOS系列产品已完成工艺开发和终端客户评测； 5）基于12寸平台完成多款车规级产品开发，产品批量交付汽车客户； 6）12寸N沟道30V、40V全系列产品均已完成平台升级迭代，以N30V为例，Rsp相较于上一代降低16%，持续进行系列产品拓展； 7）基于12寸平台具有超高元胞密度（0.65umCePitch）第六代N沟道20V~60V工艺平台开发流片中。 第三代半导体功率器件平台： 1）公司已开发完成1200V23mohm~75mohm和750V26mohmSiCMOSFET系列产品，新增产品12款，相关产品处于小规模销售阶段； 2）650V/190mohmE-ModeGaNHEMT产品、650V460mohmD-ModeGaNHEMT开发完成，新增产品2款，产品各项电学参数指标达到国内领先水平，项目产品通过可靠性考核，100V/200VGaN产品开发中。 汽车电子平台： SGTMOS、TrenchMOS、SJMOS、IGBT四大产品平台中已有140余款典型产品基于APQP完成了产品开发，通过了AEC-Q101车规可靠性考核，另有70余款产品认证中。其已开发完成的电压范围覆盖了P20V、P30V、P40V、P60V、P100V、P150V、P200V、N30V、N40V、N60V、N85V、N100V、N120V、N200V、N250V、N150V、N650V、N1200V等，且在持续扩充增量中。 公司的车规产品已大批量交付近90家Tier1厂商及终端车企，除域控制器、主驱电控、发动机冷却风扇、刹车控制器、自动启停、油泵/水泵、PTC、OBC等应用外，在线控刹车系统、车身控制模块、变速箱控制器、电控悬架等动力安全领域已实现大规模应用。 公司将持续基于IATF16949汽车质量管理体系对车规产品的整个生命周期进行管理。在顾客导向过程中，基于客户的需求，运用APQP,PPAP,DFMEA等工具实现满足客户需求的车规产品的开发。在资源管理过程中，基于管理评审、经营计划等，协调各方面资源配置保证车规产品快速高质量生产。在客户支持过程中，基于VDA6.3/VDA6.5对产品的过程及成品进行验证，包括可靠性的测试、车规设备的认证、人力资源的支持和预见性维护和保养等，通过管控关键的生产过程来保证车规产品质量。公司致力于向汽车客户提供零缺陷产品,持续满足客户需求、提高客户满意度。 报告期内，公司进一步加大了研发方面投入，积极扩充研发团队，不断通过外部引进和自主培养等方式培育高端技术人才，并积极引入高学历人才，以进一步加强新能源光储充、汽车电子、工业自动化、AI服务器与数据中心，以及半导体功率模块产品的开发力度。 （三）生产运营 报告期内，公司的生产运营工作始终围绕整体经营目标进行。2023年以来，随着市场环境的波动以及上游更多产能的释放，公司的运营部门持续做好供应链协调工作以及产品降本工作，确保公司供应链稳定供货。同时，公司从芯片代工、封装测试各个环节都保证了产销衔接及产能调配，与各主要供应商继续保持良好合作关系，并开发更多的封测领域供应商，为后续进一步加强合作提供了供应保障。 2023年芯片代工供应稳定，同时公司已开发第三代半导体产品的芯片代工厂，目前SiCMOSFET产品和GaNHEMT产品均已实现工程产出。其他部分工作完成如下：1）项目管理试点推行（比亚迪专项、光伏专项）达成预期；2）降低封装成本，针对十余家封装厂进行全面议价；3）完成STOLL、双面散热等新品引入；4）配合完成汽车电子客户审核导入及普通产品封装厂巡线工作；5）细化未投料产品生产管理，有效缩短生产周期等。 （四）子公司建设 1、电基集成 公司的全资子公司电基集成，致力于研发与生产国际一流同行已有、但国内无法找到代工资源的先进封装技术和产品。一直以来电基集成特别注重车规级封测产线的建设与管理，并在2023年顺利通过SGSIATF16949体系换证审核。 2023年，电基集成全面提升组织的ISO14001环境管理体系、ISO45001职业健康安全管理体系和IECQQC080000有害物质管理体系的系统化和执行效果；深化改革公司的EAP设备自动化系统、TMS测试管理系统和条码系统，加快建设智能工厂和数字化车间建设，为公司持续发展提供了源源不断的动力，推动公司向更高标准和更专业的方向发展。 SOP8和PDFN3.3x3.3等新封装形式目前处于小批量阶段，sTOLL等无引脚先进功率封装处于设备调试状态。 2、金兰半导体 公司的控股子公司金兰功率半导体（无锡）有限公司，其主要致力于半导体功率模块的研发、设计、生产与销售。随着新兴应用领域如汽车电子（含新能源）、5G基站电源、工业电源、新能源光伏及储能电源等对功率模块产品的需求持续旺盛，金兰功率半导体的设立将进一步加大公司在相关下游领域的应用拓展，成为公司发展道路上新的业绩增长点。 目前公司已建立一支完整的包括产品开发，工艺技术，设备维护的技术团队，该团队大部成员具有十几年丰富的IGBT模块产品及工艺开发经验，并拥有优秀的生产品质管理经验。截至目前，金兰已经完成建设第一条IGBT模块的封装测试产线，生产线所选用的机器设备均为近两年世界上先进且技术成熟的封装测试设备，满产后可达到产能6万个模块/月。计划2024年开始按车规要求升级产线，满足车规产品的生产要求，并逐步通过车规质量体系IATF16949审核。 产品开发方面： （1）开发完成：基于650V和1200V产品平台，使用第七代微沟槽场截止技术的IGBT芯片，多款模块产品完成开发。其中应用在110KW光伏逆变器上的第一款产品450A/650V已通过内部可靠性测试，客户测试正在进行中；应用在集中式逆变器上的产品600A/1200V开发完成，通过内部可靠性测试，客户测试正在进行中；应用于车用冷却泵控制的产品50A/1200V已通过客户测试，即将开始小批量生产。 （2）正在开发：基于650V和1000V产品平台，使用第七代微沟槽场截止技术的IGBT芯片，多款应用于光伏储能/光伏逆变领域的IGBT模块产品正开发。包括应用于光伏储能的100KW模块300A/1000V、125KW模块400A/1000V、215KW模块600A/1000V;应用于光伏逆变的150KW模块600A/650V、320KW升压模块600A/1000V和320KW逆变模块600A/1000V。以上产品将在2024年上半年完成开发并送客户测试验证。 金兰2023年申请专利13项（其中2项为发明专利），已授权2项实用新型。 3、国硅集成 公司的控股子公司国硅集成电路技术（无锡）有限公司，致力于智能功率集成电路芯片的设计，拥有完整的自主研发体系并掌握多项国内领先的关键核心技术，应用市场已涵盖汽车电子、光伏及储能、数据中心和工业控制等领域。自母公司控股以来，国硅进一步加强了研发与生产质量的建设与管理，并顺利通过ISO9001体系认证。 目前，国硅集成已实现量产25V低侧驱动系列产品18款，适用于光伏MPPT应用，家电PFC应用；量产40V桥式驱动系列产品4款，适用于中小功率风机、中低压水泵；量产250V半桥驱动芯片15款（2023年新增9款），适用于智能短交通、电动工具应用；700V半桥驱动芯片16款（2023年新增10款），适用于储能、工业控制等应用；相关产品已经在储能、工控、电池化成柜、智能短交通、电动工具等领域的头部客户实现大批量应用。2023年新增高侧驱动、马达驱动两条产品线（推出6款新品），适用于重卡、高速电摩、BMS锂电控制、智能家居等应用。 国硅2023年通过国家高新技术企业、国家级科技型中小企业、创新型中小企业、无锡市“专精特新”企业、无锡市“雏鹰企业”等认定。2023年获得无锡市科技局“太湖之光”科技攻关（产业前瞻及关键技术研发）立项、无锡市工信局集成电路产业发展资金项目立项、无锡市人社局“创响无锡”项目立项，并顺利通过2023年度的江苏省“双创人才”拨款考核。 （五）内部管理 2023年度，公司继续不断完善内部治理，建立健全公司内部控制制度、内部流程体系，通过内部培训以及企业价值观建设，进一步整合优化各项制度流程，提升组织能力与运营效率；根据资本市场规范要求，提升公司规范运营和治理水平；严格按照相关法律法规的要求，认真履行信息披露义务，确保信息披露的及时、真实、准确和完整；认真做好投资者关系管理工作，通过多种渠道加强与投资者的联系和沟通，以便于投资者全面获取公司信息，树立公司良好的资本市场形象。 （六）资本市场 公司围绕整体发展战略，持续关注外延式扩张机会，主要目标集中在产业链相关领域，通过对一些国家战略性新兴产业领域具有良好发展前景和增长潜力的企业进行直接或间接的股权投资，进行积极的横向与纵向资源整合，最大程度发挥协同效应，进一步加强与客户之间的合作黏性，有利于公司更好地契合下游市场，更精准地开发新品并进行快速推广，以增强公司的核心竞争力，提升长期盈利能力，创造更多的经济效益与社会价值。 2023年上半年，公司与无锡临芯投资有限公司共同投资设立无锡临尚创业投资合伙企业（有限合伙），主要作为公司整合优质项目资源模式的一种探索创新，符合公司未来发展战略规划，有利于抓住行业快速发展的契机，拓宽投融资渠道，整合多方资源，可以进一步增强公司的整体实力。 2023年下半年，公司参股投资了无锡金源半导体科技有限公司、苏州矩阵光电有限公司两个项目，该两项投资有利于促进公司的业务横向与纵向协同，以及新技术的开发。 （七）荣誉奖项 2023年，公司新增荣誉如下： 2023年国家级专精特新小巨人企业 2023年江苏省科技成果转化项目 2023年江苏省工业和信息产业转型升级专项资金专精特新中小企业能力提升项目 2023年无锡市集成电路产业扶持项目 2023年无锡市高新区（新吴区）飞凤人才基金 2023年无锡市高新区（新吴区）支持新产品研发项目 2023年无锡市高新区（新吴区）支持关键人才引进和扎根 2023年无锡市高新区（新吴区）三类企业认定 2022年无锡市高新区（新吴区）科技领军人才创新创业项目 2023年苏南国家自主创新示范区瞪羚企业。 二、报告期内公司所处行业情况 1、行业特点及发展趋势 公司主要供应高性能、高质量、高可靠性“硅基、化合物”半导体功率器件、集成电路及模块产品，根据中华人民共和国统计局发布的《国民经济行业分类》（标准编号：GB/T4754-2017），公司所处行业属于“计算机、通信和其他电子设备制造业（C39)”大类下“半导体分立器件制造（3972）”；根据证监会《上市公司行业分类指引》（2012年修订），公司所处行业为“C39计算机、通信和其他电子设备制造业”。 分立器件行业是半导体产业中一个重要分支。据国家统计局规模以上工业统计数据显示，近几年来，分立器件行业规模以上企业主营业务收入占半导体行业规模以上企业主营业务收入的比重维持在22%―25%之间。 功率半导体是电子装置电能转换与电路控制的核心，在电路中主要起着功率转换、功率放大、功率开关、线路保护、逆变（直流转交流）和整流（交流转直流）等作用。随着国家对电能替代和节能改造的推进，迫切需要高质量、高效率的电能，目前世界上大多数电能是经过功率半导体处理后才能使用，这一比例还将进一步扩大。 功率半导体自诞生以来经过七十多年的研究应用，从基材的迭代、结构设计的优化、先进封装形式、大尺寸晶圆的应用等多个方面进行技术创新，演进的主要方向为更高的功率密度、更小的体积、更低的功耗及损耗，其结构设计朝着理想目标不断改进，以适应更多应用场景的需要。据Yoe数据，功率半导体器件每隔二十年将进行一次产品迭代，相比其他半导体，迭代周期相对慢，每一代芯片都拥有较长的生命周期。 发展至今，功率半导体已拥有较好的国内产业链基础和相对成熟的技术，中低端国产功率半导体产品已形成规模化、国产化，从依赖进口转变为国内自给自足。在中高端领域，如SGTMOSFET、SJMOSFET、IGBT、化合物半导体等，由于起步晚、设计门槛高、工艺相对复杂以及缺乏验证机会等原因，国内厂家依然在追随海外厂家技术发展路线。新洁能从成立之初即基于全球半导体功率器件先进理论技术开发先进产品，成为国内中高端器件的领军企业，专注于产品设计与推广，精准把握市场需求和供应节奏，与国际一流代工厂长年紧密合作，在产品设计、工艺融合优化、产品规划、产能调配等方面达成了优秀水平。 2、市场规模分析 2023年，受全球经济增速放缓、下游应用市场景气度波动、局部国际形势恶化等因素的综合影响，全球半导体行业市场增速有所放缓。Gartner公司发布了2023年全球半导体行业报告，显示全球半导体收入总额为5,330亿美元，较2022年下降11.1%。据中华人民共和国海关总署公布的2023年进出口主要商品数据，2023年全年集成电路出口2,678.3亿个，同比下降1.8%；全年集成电路进口4,796亿个，同比下降10.8%。 尽管2023年全年数据经历了周期性下滑，但跟踪世界半导体贸易统计（WSTS）组织的月度数据，2023年第三季度开始呈现增长趋势，第四季度持续回暖，WSTS预测2024年全球半导体销售额将增长13.1%。 功率半导体的市场规模在全球半导体行业的占比在8%―10%之间，结构占比保持稳定。半导体功率器件几乎用于所有的电子制造业，包括计算机、网络通信、消费电子、汽车电子、工业电子等电子产业，新兴应用领域如新能源汽车/充电桩、数据中心、风光发电、储能、智能装备制造、机器人、5G通讯的快速发展也拉动了功率器件市场的增长，因此行业周期性波动较弱，全球功率半导体市场规模稳步增长。根据Omida的数据及预测，2023年全球功率半导体市场规模达到503亿美元，预计2027年市场规模将达到596亿美元，其中功率IC市场占54.8%，功率分立器件占30.1%，功率模块占15.1%；中国功率半导体的市场规模，预计2024年将达到206亿美元，占全球市场约为38%。中国作为全球最大的功率半导体消费国，未来市场发展前景良好。 （1）从产品品类角度分析 功率半导体按器件集成度可以分为分立器件（含模块）、功率模块和功率IC三大类。 （2）从应用领域角度分析 随着新能源汽车和充电桩、光伏及储能、AI服务器及数据中心、无人机、5G、物联网、人工智能等新兴市场为功率半导体行业带来新的应用场景和需求，工业自动化、消费电子等支柱行业的稳步发展，作为终端产品核心元器件的高性能功率器件使用需求势必不断增加。 ①新能源汽车及充电桩：新四化持续推动功率器件市场增长 汽车产业是我国国民经济发展的重要支柱产业，加速新能源汽车创新和开发是汽车产业的重点发展方向，我国新能源汽车产业链逐步成熟，产品向多元化发展。随着新能源汽车购置税减免政策的延续、用车环境优化、限牌限号地方政策等因素的催化下，新能源车的优势逐渐显露，预计未来渗透率将不断提高。 中国汽车工业协会（以下简称“中汽协”）数据显示，2023年我国新能源汽车产销量分别达958.7万辆和949.5万辆，同比分别增长35.8%和37.9%，市场占有率达31.6%。2023年我国汽车出口491万辆（整车出口485.28万辆），出口量首次超过日本，成为全球第一大汽车出口国。2024年我国汽车市场有望继续保持稳中向好发展态势，中汽协发布的《2024中国汽车市场整体预测报告》预测2024年新能源汽车销量为1,150万辆左右，出口量为550万辆左右；2024年我国汽车总销量将达到3,100万辆，同比增长3%。乘用车销量在2,680万辆左右，同比增长3.1%。新能源汽车销量将达到1,150万辆左右，同比增长20%。新能源汽车成为引领我国汽车产业转型的重要力量。 新四化即电动化、智能化、网联化、共享化，电动化指的是新能源动力系统领域；智能化指的是无人驾驶或者驾驶辅助子系统；网联化指的是车联网布局；共享化，指的是汽车共享与移动出行。在新四化趋势下，汽车产业进入百年未有的大变革时代，新能源汽车迎来大发展，汽车对芯片的需求量在不断增加。从基本的电力系统控制到无人驾驶技术、高级驾驶辅助系统和汽车娱乐系统，都对电子芯片有着极大的依赖。电能取代燃油成为汽车驱动的能量来源，功率半导体作为实现电能转换的核心器件，新能源车功率器件单车用量约为传统燃油车的2至3倍。中汽协提供的数据显示，传统燃油车所需汽车芯片数量为600至700颗，而电动车所需的汽车芯片数量将提升至1,600颗/辆，更高级的智能汽车对芯片的需求量或将有望提升至3,000颗/辆。电机驱动、照明、热管理、电动汽车主驱逆变器、DC/DC、升压器和OBC（车载充电器）等产品将依据各自的工作功率大小，选择不同的功率半导体器件，高、中、低压硅基MOSFET、IGBT和SiCMOSFET均有广泛使用。 充电桩是推动汽车电动化的基础设施，新能源汽车的高速增长的态势，也带动充电桩产业步入快速发展期，全国各地充电桩建设正在提速。中国充电联盟数据显示，2023年，充电基础设施增量为338.6万台。国家能源局数据显示，截至2023年底，我国充电基础设施总量达859.6万台，同比增长65%。交通运输部印发《关于加快推进2024年公路服务区充电基础设施建设工作的通知》，通知中提到，2024年全国计划新增公路服务区充电桩3,000个、充电停车位5,000个，持续提升公路沿线充电服务保障能力。适合公路场景的“超快充、大功率”充电设施成为发展方向，对充电桩的功率密度、电能转换效率、工作温度、可靠性提出更高要求。从直流充电桩相关零部件分解可以看出，充电机是充电桩的最核心部件，成本占充电桩的50%以上，而功率半导体是充电机的最核心组成部分，成本占充电机的一半以上。 ②AI服务器及数据中心：新技术发展带来广阔空间 随着5G网络商用的持续推进，云计算、大数据、人工智能等新一代技术的快速演进，智慧城市、数字政府、工业互联网等应用的迅速发展，数据中心作为数据存储和计算的信息基础设施，其需求也将同步持续增长。IDC预计，全球对于数据中心的建设投资将保持加速增长状态，从建设数量来看，2022―2026年，全球新建数据中心数量将以8.6%的年复合增长率（CAGR）增长。国务院总理李强在北京调研时明确指出：“人工智能是发展新质生产力的重要引擎。要加强前瞻布局，加快提升算力水平，推进算法突破和数据开发使用，大力开展‘人工智能+’行动，更好赋能千行百业”。 服务器是数据中心中的一部分，负责执行具体的计算和存储任务，数据中心则提供了一个更加全面和集中的环境，用于管理和运营这些服务器和其他IT设备。服务器根据场景需求变化，目前市场格局为传统服务器、云服务器、AI服务器和边缘服务器四足鼎立。受益于“互联网+”、大数据战略、数字经济等国家利好政策的驱动，超大规模数据中心、传统企业以及用户对AI、混合云等新兴应用的采购需求更趋旺盛，为服务器、集成电路等相关产业带来发展机遇。国内外厂商加速布局千亿级参数量的大模型，训练需求及推理需求高速增长，共同驱动算力革命，并助推AI服务器市场及出货量高速增长。据IDC与浪潮信息（000977）的数据显示，2023年全球AI服务器市场规模为211亿美元，预计2026年达347亿美元，5年CAGR达到17.3%；预计2025年中国AI服务器市场规模达到103.4亿美元。 以SGTMOSFET、SJMOSFET、GateDriver、DrMOS为代表的功率半导体在服务器电源供电、CPU/GPU主板供电、同步整流、PFC、LLC、散热风扇等服务器重要部件中有广泛应用。以浪潮、华为、联想、新华三为代表的国产服务器厂商在全球市场份额占比超35%，其市场规模及占有率的提升给中高端国产功率器件带来广阔空间。 ③光伏储能：库存改善、加速渗透 随着全球制定“碳达峰、碳中和”目标，带来了更多绿色能源发电、储能需求，我国能源安全保障能力持续增强，能源绿色低碳转型步伐不断加快，尤其是以光伏为代表的新能源产业。根据国家能源局数据，2023年国内光伏新增装机达到216.88GW，同比大幅增长148%，接近此前四年新增装机总和。截至2023年12月底，国内太阳能发电装机容量约610GW，正式超越水电约420GW的装机规模，成为全国装机量第二大电源形式，在电力能源结构主体地位进一步提升。中国光伏行业协会名誉理事长王勃华预测，2024年中国新增光伏装机保守情况达到190GW，同比下滑；乐观情况下同比略有上升，达220GW，2024年全行业首要任务是确保光伏产业稳定健康发展，防止大起大落。 中国是全球最大的光伏市场，同时中国光伏企业在国际市场上竞争优势明显，出口量持续增长。作为光伏发电系统的核心设备，逆变器的作用是将光伏组件产生的直流电转换为满足电网要求的交流电，是光伏系统中重要的平衡系统部件之一。全球光伏逆变器出货量靠前的企业均为中国企业，占全球光伏逆变器总出货量的大部分，且呈现向头部集中的趋势。尽管逆变器海外市场受库存积压、政策及经济形势波动的影响，导致不确定性和贸易性较高，但我国逆变器企业正加快拓展海外市场。根据中国海关总署数据显示，2023年我国逆变器出口实现99.54亿美元，同比2022年的89.38亿美元，上升11.37%。与此同时，逆变器出口环比改善，库存去化进展超市场预期。 IGBT器件及模块、中高压MOSFET、碳化硅等功率器件是光伏逆变器的核心零部件，在逆变器中承担着功率变换和能量传输的作用，决定着光伏逆变器的性能高低，直接影响光伏系统的稳定性、发电效率以及使用寿命，是逆变器的心脏，其市场规模将随下游装机量增加同步增长。IGBT单管及模块占光伏逆变器价值量的15%至20%，不同的光伏电站需要的IGBT产品略有不同，如集中式光伏主要采用IGBT模块，而分布式光伏主要采用IGBT单管或模块。 ④传统领域：工业、家电及其他市场稳健增长 根据TrendForce统计，全球功率半导体下游应用中，工业占比35%，消费电子占比19%，其巨大市场规模成为功率半导体稳定的基本盘。 工业方面，我国处于工业4.0快速发展时期，在《“十四五”智能制造发展规划》中政府提出明确发展目标：到2025年，规模以上制造业企业基本普及数字化，重点行业骨干企业初步实现智能转型。到2035年，规模以上制造业企业全面普及数字化，骨干企业基本实现智能转型。工业4.0，即第四次工业革命，是生产中的物联网，可使整个价值链连接在一起，智能机器将彼此交换信息，并自行组织，整个价值链中的流程将实现互联和自动化。因此，整个生产将变得更高效、更敏捷。工业自动化是工业4.0的关键之一，主要利用电子电气、机械、软件组合实现，即通过计算机控制系统和自动化机械来代替人类决策和参与制造过程，使工厂的生产和制造过程更加自动化、效率化、精确化，并具有可控性及可视性，同时也能提高生产速度、控制质量和提高安全性。功率半导体作为实现整流、变频的主要器件之一在工业4.0的实现当中发挥着不可替代的作用。 家电方面，变频家电能够智能调节压缩机转速，从而减少能源浪费，变频家电相比传统家电能够减少高达30%至40%的电力消耗，且能够在较宽的电压范围内正常工作，低噪音更环保，在节能减排的环保趋势及消费者需求升级下，我国变频家电渗透率不断提升。白色家电一般要求在家中使用5至10年，产品稳定性、可靠性要求高，技术门槛高。功率半导体在家电实现两大功能：电流转换（交/直流电变换）、电源供应（电流升/降压输出），是变频家电的核心。 除上述应用外，功率半导体在安防、医疗设备、锂电保护、5G通信、物联网等领域均有大量应用，市场规模将随经济发展、技术迭代、新应用普及等因素而稳步提升。 三、报告期内公司从事的业务情况 1、主要业务 公司的主营业务为MOSFET、IGBT等半导体芯片、功率器件和功率模块的研发设计及销售。公司凭借多年技术积累及持续自主创新，在国内率先构建了IGBT、屏蔽栅MOSFET（SGTMOSFET）、超结MOSFET（SJMOSFET）、沟槽型MOSFET（TrenchMOSFET）四大产品工艺平台，并已陆续推出车规级功率器件、SiCMOSFET、GaNHEMT、功率模块、栅极驱动IC、电源管理IC等产品，可全面对标国际一线大厂主流产品并实现大量替代。公司产品技术先进且系列齐全，目前产品型号3,000余款，电压覆盖12V~1700V全系列，重点应用领域包括新能源汽车及充电桩、光伏储能、AI服务器和数据中心、无人机、工控自动化、消费电子、5G通讯、机器人、智能家居、安防、医疗设备、锂电保护等十余个长期被欧美日功率半导体垄断供应的行业。 2、经营模式 公司的芯片产品主要由公司完成产品设计方案后，交由芯片代工企业进行生产；功率器件产品主要由公司通过子公司以及委托外部封装测试企业对芯片进行封装测试而成。公司全资子公司电基集成已建设先进封测产线并持续扩充完善，目前已实现部分芯片自主封测并形成特色产品；子公司金兰半导体已建成先进功率模块生产线，以满足光伏储能、汽车等重点应用领域客户的需求。 3、市场地位 公司为国内领先的半导体功率器件设计企业，在中国半导体行业协会发布的中国半导体功率器件企业排行榜中，2016年以来公司连续多年名列“中国半导体功率器件十强企业”。公司基于全球半导体功率器件先进理论技术开发领先产品，是国内率先掌握超结理论技术、并量产屏蔽栅功率MOSFET及超结功率MOSFET的公司，也是国内最早在12英寸工艺平台实现沟槽型MOSFET、屏蔽栅MOSFET量产的公司。同时，公司是国内最早同时拥有IGBT、屏蔽栅MOSFET（SGTMOSFET）、超结MOSFET（SJMOSFET）、沟槽型MOSFET（TrenchMOSFET）四大产品平台的本土企业之一，产品电压已经覆盖了12V~1700V的全系列产品，为国内MOSFET、IGBT等半导体功率器件市场占有率排名前列的本土企业。根据Omdia统计数据，2021年国内MOSFET市场销售额排名中，含英飞凌、安森美等国际厂商在内公司排名第5，其中在设计领域公司名列第一。 四、报告期内核心竞争力分析 1、研发实力优势 自成立以来，公司始终专注于半导体功率器件行业，具备独立的IGBT、MOSFET、SiCMOSFET、GaNHEMT芯片设计能力和自主的工艺技术平台。 此外，公司参与在IEEETDMR等国际知名期刊中发表论文22篇，其中SCI收录论文15篇，持续提升公司自身在先进功率半导体领域的整体技术水平，已实现对国际一流半导体功率器件企业在主流产品中的技术替代。 公司与科研院所在功率器件设计领域开展长期合作，针对重点项目成立了技术攻关小组。公司持续推进高端IGBT、MOSFET的研发和产业化，在已推出先进的超薄晶圆IGBT、超结功率MOSFET、屏蔽栅功率MOSFET产品基础上，进一步对上述产品升级换代。公司率先在国内研发并量产基于12英寸芯片工艺平台的MOSFET产品，实现基于12英寸芯片工艺平台的IGBT产品的大规模量产，并新增开发多款模块产品及功率IC产品以不断丰富产品品类；持续布局半导体功率器件最先进的技术领域，实现对SiC/GaN宽禁带半导体功率器件的研发与产业化，紧跟最先进的技术梯队，提升公司核心产品竞争力和国内外市场地位。 2、产品系列优势 公司目前主要产品为IGBT、屏蔽栅功率MOSFET、超结功率MOSFET、沟槽型功率MOSFET等半导体芯片和功率器件，已拥有覆盖12V~1700V电压范围、0.1A~450A电流范围的多系列细分型号产品，是国内领先的半导体功率器件行业中MOSFET产品系列最齐全且技术领先的设计企业。在IGBT领域，公司产品品类进一步丰富，除应用于光伏储能等领域的单管产品外，IGBT模块产品目前已经逐步实现小规模销售；在化合物半导体领域，公司的SiCMOSFET部分产品已通过客户验证并实现小规模销售，GaNHEMT部分产品开发完成并通过可靠性测试。公司通过构建主要产品工艺技术平台，衍生开发细分型号产品，并持续升级产品工艺平台，形成了“构建-衍生-升级”的良性发展模式，从而使得公司细分型号产品能够快速、“裂变式”产生，满足下游多个领域的需求，最终引致公司经营规模迅速增长。截至目前，公司已拥有3000余款的细分型号产品，能够满足不同下游市场客户以及同一下游市场不同客户的差异化需求。 3、产品品质优势 公司拥有完善的产品质量管控体系，针对产品进行全流程质量管控，产品性能优良、质量稳定、一致性高。公司建立了严格的供应商选择机制，供应商均为业内技术先进、质量可靠的知名企业。公司芯片代工主要来源于华虹宏力等国内外领先的芯片代工企业，封装测试主要采购子公司电基集成、日月光（ASX.US）、长电科技（600584）（600584）、捷敏电子等封装测试企业的服务，强劲稳定的供应链保证公司产品的品质与可靠性。公司通过了ISO9001:2015质量管理体系、IATF16949体系的认证；同时，公司的“绝缘栅双极型晶体管（IGBT）”、“屏蔽栅沟槽型功率MOSFET”、“超结功率MOSFET”、“沟槽型功率MOSFET”等产品被江苏省科技厅认定为高新技术产品，多款产品通过AEC-Q101车规级认证。公司产品在细分市场领域具有较高的品质优势。 4、产业链协作优势 产业链协作对于半导体功率器件研发设计企业十分重要。IGBT、MOSFET相比于其他半导体功率器件具有较为优异或差异化的性能特征，因此，IGBT、MOSFET的器件结构、参数性能需在更为严苛的工艺端才能实现或达到最优状态，这使得IGBT、MOSFET主要基于8英寸以及12英寸芯片工艺平台进行流片，而且往往需要在具备先进封装测试工艺的厂商进行封测代工。 公司目前是国内8英寸和12英寸工艺平台上IGBT和MOSFET芯片投片量最大的半导体功率器件设计公司，并与产业链中多数优秀供应商已形成了相互依存、共同发展的紧密合作关系，且通过全资子公司电基集成建设了先进封测线，致力于研发与生产国际一流同行已有、但国内无法找到代工资源的先进封装技术和产品，同时子公司金兰半导体已建成先进功率模块生产线，形成了公司较为突出的产业链协作优势。 5、进口替代优势 国内半导体产品特别是高端半导体产品严重依赖进口。公司作为国内领先的半导体功率器件设计企业，通过多年的研发积累和技术引进，在技术水平、生产工艺和产品质量等方面已接近国际先进水平。公司的研发设计紧跟英飞凌（Infineon）等国外一线品牌，沟槽型场截止IGBT、屏蔽栅功率MOSFET以及超结功率MOSFET等产品已成为公司的主力销售产品，部分产品的参数性能及应用表现与英飞凌等国外一线品牌主流产品甚至最新产品相当，实现对MOSFET、IGBT等中高端产品的进口替代，体现了较强的进口替代优势。 6、品牌和客户优势 公司一直高度重视产品质量管理和客户关系的维护，建立了快速的客户服务和客户反馈响应机制，保证快速满足客户需求又能够紧跟市场的变化，支持公司产品线的持续更新。公司通过较强的产品技术、丰富的产品种类、优良的产品质量以及优质的销售服务已进入新能源汽车和充电桩、光伏储能、AI服务器和数据中心、无人机、高端工控等多个下游细分领域，且已为下游行业内多家龙头客户供货，并依托龙头客户产生的市场效应不断向行业内其他企业拓展。 7、人才优势 公司一直重视人才培养和团队建设，人才结构长期稳定，已经培养了一批具备较强的研发能力的高素质技术团队和丰富的市场实战经验和营销能力的销售团队。以董事长朱袁正先生为领军人物的公司研发团队，是国内最早一批专注于8英寸和12英寸芯片工艺平台对MOSFET、IGBT等先进的半导体功率器件进行技术研发和产品设计的先行者之一，在MOSFET、IGBT等先进的半导体功率器件这一细分领域具有雄厚的技术实力和丰富的研发经验。公司销售团队市场经验丰富，不仅掌握和熟悉公司产品性能参数，还能够理解和解决客户端在应用中经常出现的问题，同时能够协调和帮助客户与公司进行有效沟通；不仅掌握销售技巧快速实现公司的产品销售，还能够对客户回款的及时性、安全性担负起相应责任。 公司不断加强人才管理，针对核心人才实施了包括股权激励在内的多种激励和约束机制，能够顺应公司的战略发展方向和保障公司战略方针的有效执行。 五、报告期内主要经营情况 报告期内，公司共实现营业收入147,656.14万元，较去年同期减少18.46%；其中主营业务收入147,083.92万元，较去年同期减少18.51%；归属于上市公司股东的净利润32,311.63万元，较去年同期减少25.75%。业绩变化的主要原因系：2023年度，公司下游应用市场的整体景气度延续了2022年第四季度以来的下行趋势，主要系经济环境下行导致下游需求减弱、国内晶圆代工厂更多产能释放以及功率半导体行业竞争加剧等多方面因素影响所致。同时，伴随着国际形势的不断恶化、国际半导体厂商从原本追逐高毛利到与中国半导体品牌开展价格竞争，公司面临着新的挑战。但与此同时，公司积极应对市场变化和响应客户需求，利用技术和产品优势、产业链优势等，持续优化产品结构、市场结构和客户结构，将产品导入并大量销售至新能源汽车和充电桩、光伏和储能、AI服务器和数据中心、无人机等新兴领域客户，并开发出更多的行业龙头客户，进一步扩大了公司在高端市场的应用规模及影响力。 六、公司关于公司未来发展的讨论与分析 (一)行业格局和趋势 (二)公司发展战略 作为国内半导体功率器件领先企业，公司将依托国家对半导体等战略新兴行业发展战略支撑，专注于中高端半导体功率器件和模块的研发设计及销售。在保持IGBT、MOSFET产品技术和市场优势的基础上，公司将不断引进各类管理、技术、营销人才，构建高效、现代化的经营管理体系，进一步深化IGBT产品、拓展MOSFET产品、积极开发功率模块产品和智能功率IC产品，在该等产品领域成为国内自主创新、技术领先、品质高端的自主品牌的优质企业。 同时，公司将持续创新，不断整合半导体功率器件封装测试环节垂直产业链，扩大国际先进半导体功率器件封装产线并实现SiC/GaN宽禁带半导体、智能功率IC以及功率模块的研发及产业化，进一步强化企业核心竞争力，成为汽车与光储充行业功率半导体第一品牌，稳定供应高性能、高质量、高可靠性的“硅基、化合物”功率器件、集成电路及模块产品，加快发展成为国际一流的半导体功率器件企业。 (三)经营计划 新的一年，公司将继续提升和巩固在IGBT和MOSFET产品领域的国内领先地位，提升半导体功率器件中高端品牌形象，不断增强在国内外先进半导体功率器件领域的竞争优势。具体的经营计划如下： 1、产品开发与技术创新计划 （1）丰富现有系列产品规格型号，拓展市场应用领域范围。在公司目前多产品系列的基础上，公司未来将继续丰富现有产品系列规格型号，拓展公司产品的市场应用领域范围，同时加大市场开拓，加强与客户沟通，在既有工艺技术平台上加大市场高需求产品的研发投入，从而提升盈利能力和抗风险能力。 （2）加快产品升级换代和新产品开发，提高公司产品核心竞争力。公司将加大研发投入、加速产品升级换代，保持并扩大在超低能耗电荷平衡技术上的优势。同时，对于第七代微沟槽高功率密度场截止IGBT产品、半导体功率器件集成技术等国际先进技术，公司将进一步推进其产业化进程，提升产品核心竞争力。 （3）完善研发中心建设，提高公司研发能力和技术创新能力。公司将进一步完善研发中心，购置国际先进半导体功率器件研发设备，配套半导体功率器件研发软件设施，提高公司在半导体功率器件设计、工艺检测、可靠性评估、失效分析、系统评估、客户应用等方面的综合能力，提升公司的研发能力和技术创新能力。 （4）加强产学研合作，加快半导体功率器件研发成果产业化。为了紧跟国际最新半导体功率技术，提前布局下一代半导体功率器件产品，公司将进一步巩固与科研院所的产学研合作关系，利用江苏省企业研究生工作站平台和江苏省功率器件研发中心，提高半导体功率器件的研发成果转化效率，为公司的长期发展打下基础。 2、扩大整合半导体功率器件封装测试垂直产业链计划 封装测试是半导体功率器件产业链中的关键环节之一，封装质量很大程度影响了半导体功率器件的质量和可靠性；封装成本也是半导体功率器件成本的主要部分之一。近年来，国际一流半导体功率器件厂商亦不断加大对先进封装技术研发及生产的投入。发展先进封装技术成为未来半导体功率器件行业发展趋势之一。 公司紧跟行业发展趋势，发挥自身发展竞争优势，整合自身工艺和技术积累，积极延伸半导体功率器件产业链环节，通过子公司自建半导体功率器件和功率模块先进封装测试生产线，实现对封装质量的自主把控、提高产品综合性能、降低产品的生产成本、提高产品的市场竞争力。公司进一步实现先进封装测试核心技术、产品工艺技术和生产产能的自主掌控，从而提升公司产品核心竞争力和持续发展能力。公司亦将横向延伸产品品类，发挥在MOSFET、IGBT等功率器件研发设计和封测工艺中的优势，进一步延伸并实现SiC/GaN功率器件、功率驱动IC及智能功率模块（IPM）、功率集成模块（PIM）等产品的封测工艺。 3、人力资源建设计划 （1）全面人才引进战略。公司将采取积极的人才引进机制，大力引进行业内具有国际化背景的综合型半导体功率器件设计人才和经营管理人才，构建一支高水平的人才队伍，开拓公司半导体功率器件设计、封装测试业务产品种类，增强公司整体研发设计和管理实力。 （2）持续实施公司内部人才培养计划。公司将加大对人才队伍建设的投入，给予内部人才宽松的发展环境，并在已有业务骨干和储备人才中通过业务培训、不定期考核、联合培养等方式循序渐进、有计划地持续培养选拔，全面加强人才梯队建设，为公司未来的持续的发展提供坚实的人才保障。 4、市场开拓与宣传建设计划 （1）巩固现有客户和市场，提高市场的供应份额。借助优质的产品和服务，公司产品已应用到汽车电子和充电桩、光伏和储能、AI服务器与数据中心、无人机、工业自动化、泛消费等众多领域，积累了丰富的市场和客户资源。公司未来将不断增强市场营销团队力量，在加强与现有重点客户的合作关系的基础上，通过多种方式拓展新市场、新客户，提高市场占有率。 （2）拓展产品应用领域，继续扩大市场份额。一方面，公司将通过丰富现有产品组合、升级换代和新产品开发等方式，满足客户需求；另一方面，公司将深化半导体功率器件在系统层面的应用特性分析，为客户提供整体解决方案，加快客户在使用本公司产品时的研发、测试、评估进度，拓展公司产品的应用领域。 （3）持续加强产品宣传，保持公司中高端产品品牌形象。随着公司产品组合的日益丰富，公司的营销服务系统面临更高的要求和挑战。公司将完善公司品牌建设，进一步加强市场宣传力度，拓展营销与服务网络覆盖的深度和广度，增强客户服务能力和响应速度，不断加强公司中高端半导体功率器件品牌形象。 (四)可能面对的风险 1、市场波动风险 半导体功率器件作为基础性电子元器件，下游分布极为广泛。广泛的下游应用领域提升了公司应对单一市场波动风险的能力，但行业与宏观经济的整体发展的景气程度密切相关。如果宏观经济波动较大，半导体功率器件行业的市场需求和价格也将随之受到影响。虽然近几年全球半导体功率器件市场整体保持稳步增长，但是如果下游市场整体波动、全球经济或国内经济发生重大不利变化，将对公司等行业内企业的经营造成不利影响。 针对上述风险，一方面，公司结合市场环境变化，进一步加大汽车电子、光伏和储能、AI服务器与数据中心等多个不同应用市场的开拓力度，优化客户结构，积极与重点客户达成长期稳定的合作关系；另一方面，公司积极深化产品研发力度，丰富产品型号和提升产品性能，抓住功率半导体国产替代的窗口，促进业绩规模的稳定性乃至增长。 2、采购价格波动风险 芯片代工和封测服务为公司主要的采购内容，占产品成本的比重较大。芯片代工和封测服务价格的波动将对公司的经营业绩产生一定影响。芯片代工价格一方面受到硅晶圆材料价格和制造成本、人工成本影响，另一方面则受到芯片代工企业投资规模和产能影响；封测服务价格受到原材料价格和人工成本等影响。如果芯片代工和封测服务的市场价格持续波动，而公司无法采取有力措施进行应对，则将对公司盈利能力造成不利影响。 针对上述风险，公司将进一步加强国内主要的芯片代工企业和封装测试企业间紧密的合作关系，维持采购价格的合理波动，并通过适度调整产品结构和价格、产品技术升级、寻求更多供应商支持等方式综合应对采购价格波动风险。 3、供应商依赖的风险 公司是半导体专业化垂直分工企业，芯片代工及封装测试环节主要通过向供应商采购。公司拥有涵盖了华虹宏力、华润上华等国内少数几家具备MOSFET、IGBT等8英寸和12英寸半导体芯片代工能力的本土芯片代工供应商，并不断拓展境内外的芯片代工供应渠道。而在封装测试环节，公司主要与长电科技（600584）、日月光（ASX.US）、捷敏电子等全球领先的封装测试企业合作，一定程度上也保证了公司产品的领先性。如果公司主要供应商产能严重紧张或者双方关系恶化，则可能导致公司产品无法及时、足量供应，进而对公司的经营业绩产生不利影响。 针对上述风险，考虑到半导体行业垂直分工的特殊性，芯片设计企业与芯片代工及封装测试企业之间在一定程度上互相依赖：专注于芯片设计环节的企业在选择供应商后一般不会轻易更换；同样，芯片代工及封装测试企业如若更换客户则需重新调整产线、设备技术参数、产能排期等，这将形成较大的更换成本。因此，公司将持续拓展上游供应商渠道，同时继续稳固、加深公司与产业链上游供应商的合作关系。 4、新增折旧摊销费用影响业绩的风险 公司募投项目新增设备投入和生产场地投入，未来将引致公司资产总额增长幅度较高。随着新增固定资产和无形资产规模的扩大，募投项目投产后，资产折旧摊销会出现较快增长。如果市场环境发生重大不利变化，公司现有业务及募投项目产生的收入及利润水平未实现既定目标，募投项目将存在因资产增加而引致的折旧摊销费用影响未来经营业绩的风险。 针对上述风险，公司已结合产业发展趋势及公司发展战略，合理选择募投项目、规划募投项目方案，募投项目新增销售收入及利润总额较高，足以抵消募投项目新增的投资项目折旧摊销费用；未来公司也将结合行业发展实际状况和募投项目前期设计方案，合理实施募投项目、提升公司整体经营业绩。